ASML公司近日宣布,已经向Intel交付了第一台高NA EUV极紫外光刻机。这台机器将被用于制造2nm工艺以下的芯片,并有望进一步推动摩尔定律的发展。 据了解,这种高NA EUV极紫外光刻机具有更高的孔径数值(NA),能够实现更小的临界尺寸和金属间距,从而支持制造更小尺寸的芯片。目前,台积电和三星等其他半导体制造商也将陆续接收这种光刻机,预计将能够支持达到1nm工艺左右的芯片制造。 然而,ASML并没有止步于此。据报道,该公司正在研究下一代Hyper NA(超级NA)光刻机,以继续推动摩尔定律的发展。这种新型光刻机将进一步提高孔径数值,预计将超过0.7。根据ASML CTO Martin van den Brink在接受采访时的确认,他们正在调查开发Hyper NA技术,并预计在2030年左右完成。 这种新型EUV光刻机将适合制造逻辑处理器芯片,并且相比高NA双重曝光成本更低。此外,它还可以用来制造DRAM内存芯片。根据ASML已披露的数据,低NA光刻机的成本至少为1.83亿美元,而高NA光刻机则起步价为3.8亿美元。 根据微电子研究中心(IMEC)的路线图,预计到2030年左右,半导体制造工艺将进一步推进到A7 0.7nm工艺。之后还有A5 0.5nm、A3 0.3nm、A2 0.2nm等更小尺寸的工艺,预计将在2036年左右实现。 这一消息对于半导体行业来说无疑是一个重要的里程碑。随着芯片制造工艺的不断突破,我们可以期待未来电子设备的性能将得到更大的提升,同时也将为人工智能、物联网等领域的发展提供更强大的支持。 |
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