荷兰媒体Bits &Chips报导,曝光机大厂ASML确认,新标准型0.33 NAEUV光刻机NXE:3800E导入部分High-NAEUV技术,工作效率提升。 ASML表示,新标准型EUV光刻机NXE:3800E已出货,执行效率可达每小时195片晶圆,较旧机型160片提高近22%。 下代 High-NA 高数值孔径 EUV 采用更宽光锥,在 EUV 反射镜撞击角度更宽,晶圆曝光时导致光损失,故 ASML 提高光学系统放大倍率,将光线入射角调回合适大小。 不过光罩尺寸不变,增加光学系统放大倍率,会因曝光场减少影响晶圆量。 ASML 仅一个方向将放大倍数从四倍提升至八倍,使曝光场仅缩小一半。 为了降低曝光时间,提升工作效率,有必要提升曝光机载台运动速率。 ASML 工程师开发同时兼容 0.33NA 数值孔径系统的新款快速载台运动系统,对 NXE:3800E 而言,光学元件相同之前的 3600D 机型,仅是配备了更高效的 EUV 光源,工作量提升来自每次曝光间晶圆移动加速。 与 NXE:3600D 相比,NXE:3800E 载台移动速度提升两倍,曝光步骤总时间也约减少一半。 运行速度更快,也使能效提升,ASML 发言人表示,NXE:3800E 整体节省约 20%~25% 能源。 |
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