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全球半导体技术领域的权威组织JEDEC近日宣布,备受瞩目的高带宽内存(HBM)DRAM标准的下一代产品——HBM4,其初始规格已接近完成,预示着这一革命性内存技术即将进入量产阶段。HBM4不仅将大幅提升内存容量和性能,还将为人工智能(AI)、高性能计算(HPC)等领域带来前所未有的创新动力。 据JEDEC透露,HBM4在内存容量上实现了巨大飞跃,能够在16-Hi TSV堆栈中达到高达32 Gb的密度,这一数字远超当前标准,为需要处理大规模数据集和复杂计算的应用场景提供了强有力的支持。此外,HBM4还计划将每个堆栈的通道数翻倍,相比HBM3,这将显著提升内存利用率和整体性能,满足市场对更高计算能力的迫切需求。 在技术规格上,HBM4将提供24 Gb和32 Gb两种层配置,并支持4高、8高、12高和16高TSV堆栈,为用户提供更灵活的选择空间。在速度方面,HBM4的初始速度箱协议已设定为6.4 Gbps,尽管这一数字已经相当惊人,但JEDEC表示,未来还将继续探讨实现更高速度的可能性,以不断突破内存技术的极限。 值得注意的是,HBM4将保持与HBM3的控制器兼容性,这意味着现有设备在升级至新标准时将更加便捷,无需进行大规模的硬件更换。这一设计决策无疑将加速HBM4的市场普及速度,让更多的用户能够享受到新技术带来的性能提升。 在HBM4的研发过程中,英伟达、SK海力士和台积电等行业巨头结成了紧密的合作伙伴关系,共同推动GPU和HBM4的开发进程。这种跨领域的合作不仅加速了新技术的研发速度,还为未来的人工智能标准制定奠定了坚实基础。特别是SK海力士,已经公布了其尖端的HBM4E内存计划,并预计将在2026年实现开发目标,进一步巩固了其在高带宽内存领域的领先地位。 HBM4的问世标志着内存技术的一次重大革新。随着人工智能、高性能计算等领域的快速发展,对内存性能的需求日益提升。HBM4以其卓越的性能和兼容性,无疑将成为未来这些领域中的核心组件之一。我们有理由相信,在不久的将来,HBM4将引领内存技术进入一个新的发展阶段,为科技产业的持续进步贡献重要力量。 |
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