三星电子遭遇3nm GAA工艺挑战,良率低于预期。第二代工艺仅达20%,失去高通等大客户订单。转向台积电寻求更成熟的工艺节点。可能将重心转移至2nm,开发“Ulysses”芯片组,在2027年亮相Galaxy S2027机型。
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近日,三星电子在3纳米Gate-All-Around(GAA)工艺上遭遇重大挑战。据业内人士透露,三星对其第一代和第二代3nm GAA工艺的良率目标为70%,但实际良率远未达到预期,甚至第二代工艺的良率仅为20%,不足目标的三分之一。 ![]() 三星的3nm GAA工艺在发布时间上曾领先于台积电的3nm“N3B”变体,但由于良率低下,导致无法吸引新客户。据了解,三星第一代3nm GAA工艺的良率为50-60%,虽然较第二代工艺稍好,但仍未达到既定目标。 由于产量问题,三星甚至失去了高通等大客户的订单。目前,第二代3nm GAA工艺的良率仅为20%,远低于三星的预期目标。这使得原本支持三星的韩国公司也开始转向台积电,寻求更成熟的工艺节点。 面对3nm GAA工艺的困境,三星或将重心转移至2nm节点。据报告显示,三星正在开发一款基于“SF2P”技术的Exynos芯片组,代号为“Ulysses”,预计将于2027年在Galaxy S2027机型上首次亮相。这表明三星可能已经找到了新的发展方向,有望在2nm工艺上取得突破。 |
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