近日,俄罗斯公布了一项雄心勃勃的计划,旨在开发一款自家产的极紫外线(EUV)曝光机,该设备旨在比荷兰ASML公司的系统更经济且制造更为简便。 ![]() 据CNews和Tom's Hardware的报道,俄罗斯已经制定了一份详细的路线图,目标是将现有的EUV技术推向新的高度。俄罗斯计划使用的曝光机将采用11.2纳米波长的激光光源,这与ASML目前使用的13.5纳米波长标准不同。这意味着俄罗斯的新技术将与现有的EUV基础设施不兼容,需要该国自行开发一套全新的曝光生态系统,这一过程可能需要数年甚至超过十年的时间。 该计划由俄罗斯科学院微观结构物理研究所的Nikolay Chkhalo领导,旨在打造一款性能具有竞争力且成本优势明显的EUV光刻机。俄罗斯的新设备将使用基于氙的激光光源,取代ASML的锡基系统。Chkhalo指出,11.2纳米波长的光源能够提高约20%的分辨率,简化设计并降低光学组件的成本,同时还能提供更精细的细节,并减少光学元件的污染,延长关键部件的使用寿命。 尽管俄罗斯曝光机的光源功率仅为3.6千瓦,产量大约只有ASML设备的37%,但其性能仍然能够满足小规模芯片生产的需求。新的曝光机还将使用硅基光阻剂,预计在较短波长下将展现出更优异的性能。 由于11.2纳米波长的技术并非简单的调整,所有光学元件,包括反射镜、涂层、光罩设计以及光阻,都需要针对新波长进行特别设计和优化。此外,激光光源、光阻化学、污染控制等其他支持技术也需重新设计,以确保在11.2纳米波长下的有效运作。 由于新波长的基础工具难以与现有的13.5纳米EUV架构和生态系统兼容,甚至电子设计自动化(EDA)工具也需要更新。虽然现有的EDA工具仍能完成基本步骤,但在曝光的关键制程方面,如光罩数据准备、光学邻近校正(OPC)和分辨率增强技术(RET),则需要重新校准或升级为适合11.2纳米的新制程模型。 俄罗斯的曝光机开发工作将分为三个阶段,第一阶段将专注于基础研究、关键技术识别与初步元件测试;第二阶段将制造原型机,并整合到国内的芯片生产线中;第三阶段的目标是开发一套可供工厂使用的系统。目前尚不清楚这些新的曝光工具将支持哪些制程技术,且路线图中也未提供各阶段完成的时间表。 |
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