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AMD Ryzen7 9800X3D采用厚虚拟硅层,占CCD堆栈93%,旨在提高稳定性

小烂毛 整合编辑:杨玥锴 发布于:2024-12-23 10:04

最新的技术分析揭示了AMD Ryzen 7 9800X3D处理器的一项独特设计特点。该处理器的CCD(Core Complex Die)堆栈中,大部分硅层并不参与功能性操作,而是作为厚虚拟硅层,占据了整个CCD堆栈的93%,其目的是提高芯片的稳定性和可靠性。

AMD Ryzen 7 9800X3D的CCD堆栈总厚度约为800μm,而实际功能性硅层,包括3D V-Cache和SRAM,仅占40-45μm。剩余的750μm由非功能性的厚硅层组成,这一设计在以往的X3D芯片中并不常见。

半导体分析师汤姆·瓦西克对9800X3D的CCD进行了深入分析,发现这种设计虽然不直接参与芯片的运算,但对于确保整个3D芯片堆栈的稳定运行至关重要。由于SRAM和CCD层非常薄,它们在制造或处理过程中容易受损。通过添加这一厚层虚拟硅,AMD有效地解决了这一问题。

此外,SRAM硅层在侧面延伸了50μm,进一步增强了结构支撑。这种设计不仅确保了芯片的可靠性,还允许内核直接访问额外的L3缓存,从而提高了处理器的性能。

AMD Ryzen 7 9800X3D凭借其3D V-Cache技术,已经在游戏性能上取得了显著成就。此次的设计创新再次证明了AMD在提升处理器稳定性和性能方面的不懈努力。

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