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三星研发实现NAND闪存功耗降低96%

佚名 编辑:Dwight 发布于:2025-11-28 10:04 PConline原创
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三星电子2025年11月28日宣布,其先进技术研究院团队在《自然》发表论文,成功研发出结合铁电材料与氧化物半导体的新型NAND闪存设计,实现功耗降低96%。该创新有望显著减少数据中心能耗并延长移动设备续航。尽管市场看好,但三星同时计划调整部分NAND产线转向DRAM生产,显示其对NAND市场态度谨慎。

三星电子发布的一项全新研究,为大幅降低NAND闪存功耗提供了可行路径。在《自然》(Nature)期刊刊载的论文中,由三星先进技术研究院(SAIT)与半导体研发中心共34名工程师组成的团队指出,通过将铁电材料与氧化物半导体相结合,可使NAND闪存串级操作的功耗降低最高达96%。

现代NAND闪存普遍通过增加堆叠层数提升存储容量,但这一做法也延长了信号在每串存储单元中的传输路径,随着堆叠层数不断增加,闪存的读写功耗也随之攀升,此前业界尝试采用铁电材料设计解决该问题,但未能彻底突破瓶颈。三星此次提出的方案则充分利用了氧化物半导体的电学特性,这类材料通常存在阈值电压控制能力有限的问题,这在其他器件中被视为缺陷;但在该NAND设计中,这一特性反而有助于降低开关功耗,同时还能支持高密度存储。研究团队通过重新设计晶体管结构,并将这些材料应用于NAND布局中,证明了在不牺牲存储容量的前提下大幅降低功耗的明确可行性。

若该技术最终实现商业化落地,将有望降低数据中心的能耗,并延长移动设备与边缘AI设备的续航时间。市场研究机构Omdia预测,全球NAND闪存市场营收将从2024年的656亿美元增长至2029年的937亿美元,在此期间出货量年均增长率将达17.7%。不过值得注意的是,我们上周曾报道,三星似乎计划将其位于Pyeongtaek与Hwaseong的部分NAND闪存生产线改造为DRAM生产线,且即将投产的P4也将专门用于DRAM生产。业内消息称,三星对NAND闪存市场已持谨慎态度,而标准DRAM的市场需求及价格则出现了大幅上涨。

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