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AMD Zen 6处理器3D V-Cache版本曝光 最高缓存可达288MB

九月 编辑:Dwight 发布于:2025-12-24 10:17 PConline原创
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AMD公布即将推出的Zen 6处理器3D V-Cache版本,单CCD缓存达144MB,双CCD高达288MB。台积电2纳米工艺制造CPU核心,并支持16位AVX-512指令扩展。此举提升性能,与Intel同期Nova Lake系列竞争激烈,引发业界关注。

AMD即将推出的“Zen 6”消费级处理器预计将延续前代产品的策略,提供3D V-Cache的型号。不过,相较于当前“Granite Ridge”系列的“Zen 5”型号,这些新型号的缓存容量可能会显著提升。据X平台用户HXL爆料,单CCD版本将配备144MB 3D V-Cache,而双CCD配置的缓存容量则将达到288MB。这表明AMD将沿用熟悉的CPU设计方案,即采用消费级I/O die与两颗独立的CCD,且每颗CCD都将受益于缓存容量的提升。

这一思路与Intel即将推出的“Nova Lake”处理器颇为相似,后者同样计划通过bLLC大幅提升缓存容量。有传言称,Intel单计算芯片型号将提供144MB缓存,双计算芯片型号则为288MB。Intel已在其“Clearwater Forest”服务器处理器中采用bLLC作为被动中介层,将本地缓存集成在有源芯片下方。若将该技术应用于标准游戏芯片,有望显著提升性能,使其成为AMD新一代“Zen 6”处理器家族的强劲竞争对手。

对于“Zen 6”系列,AMD计划将CPU CCD交由台积电N2P 2纳米工艺制造,而cIOD则采用N3P 3纳米工艺。此外,缓存容量的提升还将辅以先进的x86-64指令扩展,例如AVX512_BMM、AVX512_FP16、AVX_NE_CONVERT、AVX_IFMA以及AVX_VNNI_INT8等。值得关注的是,消费级桌面CPU将首次支持16位AVX-512运算,结合附近的高速内存池,有望进一步提升性能。

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