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　　前面已经提到，英特尔Montevina平台的处理器代号为Penryn，是全新采用45nm制程的新一代处理器产品。该处理器对比前代产品在基本属性和微架构方面都作了调整，新品在整体性能方面有了令人惊艳的提升。

　　对于Penryn处理器的性能测试，我们在刚发布之际就已经对其进行了全面的评测解秘：

·《2008的寂寞王者 英特尔Penryn移动处理器全面揭密》
·《升级梦破灭!英特尔Penryn移动CPU第一阶段全面评测》
·《极限低温?!英特尔Penryn移动CPU第二阶段全面评测》
·《Penryn第三阶段评测 三星R70揭示45nm真实力》

前期曝光的Penryn的5大改进

Montevina主要升级变化

Penryn处理器的优势和改进：

45纳米工艺+High-K金属栅极技术

　　全新的Penryn处理器将会全面采用45纳米工艺，这也是自从2005年采用65纳米工艺之后，笔记本处理器领域的又一次变革。升级到45纳米工艺之后，首先在同样面积上，将可以容纳更多的晶体管，具备更大的缓存，目前，具有3MB L2 Cache和Penryn处理器核心Die面积比2MB的Merom处理器更小，成本当然也低不少，这无疑就是工艺改进带来的好处。

　　另外，45纳米制程工艺在功耗和发热量方面，也有更大的优势。这完全得益于英特尔在Penryn上全面引入了“High-K”金属栅级技术，这也是45纳米工艺获得成功的一大要素。

　　过去40余年中，业界包括Intel导入65nm制程时均是采用二氧化硅作为制作闸极电介质的材料，但二氧化硅缩至原子大小时，耗电和散热亦会同时增加，从而产生了电流浪费和不可预计的热能，碍于这种弊病，Intel由Penryn处理器开始正式改用较厚的High-k材料作为闸极电介质，以取代沿用至今已超过40年的二氧化硅，这也是自从60年代以来晶体管的基本属性首次发生了变化。

Penryn的晶圆

　　High-k，中文直译为：高电介质，可以有效减少闸极漏往基极的电流，可容纳金属门电路晶体管的容量提升约60%，且损耗状况比传统的CMOS晶体管也降低了100倍，具有着绝缘性好、转速快、功耗低的性能特点。采用全新High-k材质的45nm制程Penryn处理器与上一代技术对比，晶体管密度提升近2倍，耗电量减少近30%，开关动作速度也约加快了20%。经过测试，在同一功耗表现下，其频率下可提升约20%，或是在同一频率下功耗更低，电池续航力也明显大幅提升。可以说，“45nm High-K金属栅极技术”的引入，对于芯片产业绝对是一次革命性的创举。