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佳能纳米压印设备有望2024年出货,中国半导体产业关注其影响

小烂毛 整合编辑: 杨玥锴 发布于:2024-02-05 11:21

日本相机与光学巨头佳能(Canon)近期公布了一款采用纳米压印技术(Nanoimprint Lithography, NIL)的新型曝光设备FPA-1200NZ2C。这款设备被期待为小型半导体制造商提供生产先进芯片的新选择。佳能高层武石洋明在最近的媒体采访中透露,该设备预计在2024年至2025年间开始出货。

纳米压印技术与传统的曝光技术不同,后者依赖光学图像投影将微细结构转移到硅晶圆上,而前者则类似于印刷术,通过模板大量复制,直接压印形成图案。佳能已经研究纳米压印技术超过15年,旨在通过这种新方法降低成本并提高能源效率。

据悉,佳能的纳米压印曝光设备功耗比ASML的极紫外(EUV)光刻设备低90%,同时设备的投资成本也仅为EUV光刻设备的40%。该设备能够用于制造5纳米级别的芯片,并有望进一步发展至2纳米制程节点。佳能强调,纳米压印曝光设备并不是为了取代现有的EUV和深紫外(DUV)光刻设备,而是与之并行共存于生产线中。此外,该设备不仅适用于逻辑芯片的生产,还能用于制造3D NAND Flash闪存。

当前,由于半导体市场对曝光设备的需求激增,佳能可能会利用其设备的低成本和生产成本作为竞争优势,进一步进军半导体设备市场。然而,纳米压印技术与EUV和DUV光刻设备不兼容,这意味着将其集成到半导体制造商现有的生产流程中将面临一定挑战。

另一方面,受到美国对半导体设备出口的严格限制,中国厂商目前难以获得先进的EUV和DUV光刻设备。因此,佳能声称具有成本效益的纳米压印曝光设备是否能够帮助中国半导体产业突破困境,成为了业界关注的焦点。

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