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英特尔组装完成首套High-NA EUV,2027年生产Intel 14A

小烂毛 整合编辑:杨玥锴 发布于:2024-04-22 11:42

英特尔在其位于美国俄勒冈州希尔斯伯勒的研发基地达成了先进半导体制造的重大里程碑,研发人员已完成首台商用高数值孔径极紫外光微影设备(High NA EUV)的组装。

这台由ASML供应的TWINSCAN EXE:5000 High-NA EUV光刻设备将开始进行多项校准步骤,预计于2027年启用,率先用于Intel 14A制程,协助英特尔推展未来制程蓝图。此设备将通过改造投影印刷成像到晶圆的光学设计,显著提升下世代处理器的图像分辨率和尺寸缩放。

英特尔指出,High NA EUV光刻设备在先进芯片开发和下世代处理器生产中扮演关键角色。英特尔晶圆代工领先业界布署的High NA EUV微影设备,将为芯片制造带来前所未有的精准度和可扩展性,协助英特尔开发创新功能完善的芯片,加速推动AI和其他新兴技术的发展。

ASML日前也宣布,位于荷兰费尔德霍芬总部的高数值孔径实验室首次打印出10纳米的高密度线路,创下EUV微影设备分辨率的世界纪录,成为EUV微影设备迄今为止打印出最精细的线路。这项突破也让ASML的合作伙伴蔡司(ZEISS)在High NA EUV光刻设备上的创新光学设计获得验证。

英特尔强调,在研发人员初步校准该设备机台的光学元件、传感器和平台后,High NA EUV已打印出突破性的图像,为完整运作奠定基石。ASML透过全领域光学微影系统打印出的10纳米高密度线路,为布署商用High NA EUV机台迈出关键下一步。另外,当High NA EUV光刻设备与英特尔晶圆代工服务的其他领先工艺技术相结合时,打印尺寸预计将比现有EUV机台缩小1.7倍。也由于2D尺寸缩小,密度将提高2.9倍。英特尔将持续引领半导体产业发展更小、更密集的图案化(patterning)技术,进一步延伸摩尔定律。

相较于0.33数值孔径的EUV微影设备,高数值孔径EUV微影设备(或0.55数值孔径的EUV微影设备)可为类似的芯片尺寸提供更高的成像对比度,减少每次曝光所需的进光量,并缩短每层打印时间,进而提高晶圆厂的产能。

英特尔进一步强调,TWINSCAN EXE:5000系统的总重量超过150吨,将先分装于250多个货箱中,并集中装入43个货柜,货柜由多架货机运送至西雅图,再利用20辆卡车运输到俄勒冈州。之后,英特尔计划于2025年Intel 18A的产品验证以及未来Intel 14A的量产阶段,采用0.33和0.55数值孔径的EUV微影设备,并结合其他先进的微影制程技术,共同推进先进芯片的开发和制造,借此改善英特尔的先进制程技术成本与效能。

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