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AI带动HBM需求激增，仍难解决三星、SK库存问题

阳春丽整合编辑：杨玥锴发布于：2023-10-01 00:22

三星电子和海力士作为全球领先的DRAM和HBM内存制造商，其产品广泛应用于智能手机、笔记本电脑、数据中心服务器等领域。然而，近年来，由于市场供给过剩，这两家公司面临着较大的库存压力。

根据韩国金融监督院电子信息披露系统数据，三星电子上半年的库存达到了55.5万亿韩元，同比增长6.3%。主要积压的是DDR4等成熟旧品。同样，海力士也面临着4.6%的库存增长，从15.66万亿韩元升至16.42万亿韩元。这些旧品库存不仅占据了大量资金，还面临价格持续下滑的风险。

近期，韩国内存业预期NVIDIA将带动AI半导体HBM需求大幅增加。这一趋势源于生成式AI市场的快速增长，将显著提升集成在图形处理器中的高速内存HBM需求。事实上，受到业绩增长的鼓舞，NVIDIA计划从明年开始将AI用高性能GPU的产量提高长达4倍。HBM广泛应用于AI领域的GPU。

然而，核心问题在于，三星电子和海力士的库存主要以DDR4等旧品为主。即使新品HBM需求增加，也无法迅速消化积压的旧品库存。要实现真正的业绩增长，还需要依靠更广泛的内存市场需求复苏，尤其是PC领域。

随着5G、云计算、AI等新兴技术的商用化，对高速、大容量、低功耗内存的需求预计将持续增长。凭借技术积累的优势，三星电子和海力士有望在新品种内存上保持领先地位。然而，面对不确定的宏观环境，这两家公司仍需谨慎对待业绩回暖时机。

根据DRAMeXchange的数据，通用PC DRAM的平均合约价格从去年12月的2.21美元降至今年8月的1.3美元，环比7月下降了2.99%。尽管上半年DRAM价格大幅下跌，但下半年降速有所放缓。

部分专家认为，面对低迷的市场需求，目前还没有明显的复苏迹象。业界观点认为，短期来看，三星电子和海力士可能会因DDR4需求乏力而维持高库存状态。即使HBM和DDR5的需求上升，预计库存也不会出现大幅度下降的情况。

至于NAND Flash方面，受惠存储器大厂的持续减产，市场传出NAND Flash的晶圆合约价于8月反弹，9月持续调涨。

据悉，三星减产动作主要以128层堆叠以下的产品为主，使得9月份的产量减少近50%，带动了整体的市场跟着做出减产动作，使调整库存的效益展现，使得市场预估第四季NAND Flash价格还将继续上涨。市场研究及调查机构TrendForce也对第4季NAND Flash报价乐观，预估涨幅将约3%至8%，高于原先预估的0%至5%。

总体而言,在产量调控和市场需求共同作用下,第四季度存储器价格涨势可期,并有望延续一段时间。这有助于释放三星电子和海力士的库存压力。但中长期来看,企业仍需依靠技术创新、下游市场培育,使业绩回到增长轨道。

三星海力士 DRAM

阳春丽

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