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英特尔量产Foveros 3D先进封装,力拼单一封装1万亿个晶体管

小烂毛 整合编辑: 杨玥锴 发布于:2024-01-26 08:34

英特尔公司宣布,其业界领先的半导体封装解决方案已经开始大规模生产,其中还包括突破性的3D Foveros先进封装技术。这一技术是在最新完成升级的美国新墨西哥州Fab 9进行生产的。

英特尔执行副总裁兼全球运营长Keyvan Esfarjani表示,先进封装技术使英特尔脱颖而出,帮助客户在芯片产品的性能、尺寸以及设计应用的灵活性方面获得竞争优势。

英特尔指出,位于Reio Rancho的Fab 9和Fab 11x工厂是英特尔3D先进封装技术大规模生产的首个运营基地,为整个供应链创造更高效率。

↑英特尔酷睿Ultra

随着半导体产业进入在单个封装中集成多个小芯片(Chiplets)的整合时代,英特尔的3D Foveros和2.5D EMIB等先进封装技术将实现在单个封装中整合超过1兆个晶体管,并计划在2030年后继续推动摩尔定律的发展。

Foveros 3D是一种3D堆叠的封装技术,能以垂直而非水平的方式堆叠计算模块,并构建处理器。这项技术也让英特尔及其代工客户混合搭配不同运算芯片,优化成本和能效。

此外,英特尔将使用Foveros 3D为用户端应用打造最新的Core Ultra「Meteor Lake」处理器,以及用于AI和HPC应用的Ponte Vecchio GPU。英特尔也预计,到了2025年时,Foveros 3D先进封装产能将增加四倍。

目前,Foveros 3D具有36微米凸块(bump)间距,支持每平方毫米达770微凸块和每毫米达160 GB/s的带宽。据了解,未来这项技术将采用25微米和18微米的微凸块,大幅提高互连密度。此外,多个Foveros 3D中间层可利用英特尔Co-EMIB技术(即EMIB + Foveros技术)实现互连,构建超大型数据中心级设备。

目前英特尔在新墨西哥州建设先进封装厂,是美国增加先进半导体产品战略的重要一步。除了Fab 9外,英特尔还在亚利桑那州和俄亥俄州建设了多个先进技术工厂。

事实上,当前包括AI运算在内的高效能运算市场需求大幅提升,晶圆代工龙头台积电的CoWoS先进封装产能也正在积极的扩产当中。根据市场消息指出,根据估算,排除Amkor等新增产能,台积电2024年底CoWoS月产能将达3.2万片,2025年底再增至4.4万片。而随着英特尔宣布量产 3D Foveros 先进封装技术,预计接下来的先进封装市场发展也将更趋激烈。

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